- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11521 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H01L 27/11521
Brevets de cette classe: 949
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
140 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
92 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
75 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
49 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
44 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
35 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
31 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
30 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
29 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
27 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
27 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
21 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 734 |
21 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
20 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
19 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
18 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
16 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
13 |
| eMemory Technology Inc. | 358 |
10 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
10 |
| Autres propriétaires | 222 |